Продукція > ONSEMI > FSB660A
FSB660A

FSB660A ONSEMI

ONSM-S-A0013297934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FSB660A ONSEMI

Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 40hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FSB660A за ціною від 8.83 грн до 54.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FSB660A FSB660A Виробник : onsemi / Fairchild FSB660A_D-2314079.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
на замовлення 5188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.21 грн
12+29.42 грн
100+17.73 грн
500+13.88 грн
1000+11.32 грн
3000+9.51 грн
9000+8.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : onsemi fsb660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 2637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.87 грн
10+32.39 грн
100+20.76 грн
500+14.80 грн
1000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013297934-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FSB660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 2 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.85 грн
50+34.20 грн
100+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A Виробник : FAIRCHILD fsb660a-d.pdf
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A Виробник : FAIRCHILD fsb660a-d.pdf 09+
на замовлення 13617 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A Виробник : FAIRCHILD fsb660a-d.pdf SOT23
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A Виробник : FAIRCHILD fsb660a-d.pdf SOT23-G60A
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : ON Semiconductor fsb660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : ON Semiconductor fsb660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : ON Semiconductor fsb660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FSB660A FSB660A Виробник : onsemi fsb660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.