FW344A-TL-2W ON Semiconductor
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 58+ | 10.57 грн |
| 59+ | 10.25 грн |
| 60+ | 9.72 грн |
| 100+ | 8.85 грн |
| 250+ | 8.36 грн |
| 500+ | 8.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FW344A-TL-2W ON Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive, Supplier Device Package: 8-SOIC.
Інші пропозиції FW344A-TL-2W за ціною від 18.18 грн до 18.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FW344A-TL-2W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-SOIC |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FW344A-TL-2W | Виробник : ON Semiconductor |
 MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SER |
на замовлення 2301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
FW344A-TL-2W | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
FW344A-TL-2W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-SOIC |
товару немає в наявності |