FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 45953.57 грн |
| 12+ | 43839.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ1200R12HE4PHPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ1200R12HE4PHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
FZ1200R12HE4PHPSA1 Код товару: 177335 |
 Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
товар відсутній |
|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
товар відсутній |
|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V |
товар відсутній |