Інші пропозиції FZ1200R12HE4PHPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
товару немає в наявності |
|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IHM-B Module With Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode |
товару немає в наявності |
|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 1825A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 1200A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1825 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 74 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FZ1200R12HE4PHPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBTs 1200 V, 1200 A single switch IGBT module |
товару немає в наявності |