FZ1200R33KF2CS1NOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS

Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FZ1200R33KF2CS1NOSA1 - FZ1200R33KF2C 3300 V, 1200 A SINGLE SWI
tariffCode: 85412900
euEccn: TBC
hazardous: false
productTraceability: No
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 180301.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ1200R33KF2CS1NOSA1 ROCHESTER ELECTRONICS
Description: IGBT MODULE 3300V 2000A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Full Bridge, Operating Temperature: -40°C ~ 125°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1.2kA, NTC Thermistor: No, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 14500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ1200R33KF2CS1NOSA1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FZ1200R33KF2CS1NOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.25V @ 15V, 1.2kA NTC Thermistor: No Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 2000 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 14500 W Current - Collector Cutoff (Max): 12 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |