FZ2400R12HE4B9HOSA2 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MODULE 1200V 3560A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 13500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 66932.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ2400R12HE4B9HOSA2 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 3560A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2400A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 13500 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ2400R12HE4B9HOSA2 за ціною від 74203.77 грн до 74203.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FZ2400R12HE4B9HOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 3560A Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 2400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 3560 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 13500 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 150 nF @ 25 V |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FZ2400R12HE4B9HOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT and Emitter Controlled diode |
товар відсутній |
|||||
 |
FZ2400R12HE4B9HOSA2 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 3.56KA 13500W 9-Pin IHMB190-2 Tray |
товар відсутній |