FZ600R12KE3HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEONDescription: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Stiftbolzen
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 2.8kW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8kW
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 900A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10624.15 грн |
| 5+ | 9774.22 грн |
| 10+ | 8657.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ600R12KE3HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.8kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції FZ600R12KE3HOSA1 за ціною від 9625.20 грн до 11283.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 900A 2800W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2800 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
|||||||
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW |
товару немає в наявності |