FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10978.19 грн |
| 10+ | 9364.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.8kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8kW, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FZ600R12KE3HOSA1 за ціною від 10972.98 грн до 12131.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2.8kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800W 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-62MM Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: single transistor Gate-emitter voltage: ±20V |
товару немає в наявності |