FZ800R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20437.36 грн |
| 5+ | 18874.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ800R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7, Dauer-Kollektorstrom: 800, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 3.55, Verlustleistung: 3.55, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 800, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FZ800R12KE3HOSA1 за ціною від 20952.28 грн до 24670.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZ800R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FZ800R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
FZ800R12KE3HOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, ModuleIGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7 Dauer-Kollektorstrom: 800 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 3.55 Verlustleistung: 3.55 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2 IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 800 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FZ800R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20952.28 грн |
| FZ800R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 800A 3550mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 24670.79 грн |
| FZ800R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
Description: INFINEON - FZ800R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 800 A, 1.7 V, 3.55 kW, 125 °C, Module
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Dauer-Kollektorstrom: 800
IGBT-Anschluss: Lötfahne
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7
Verlustleistung Pd: 3.55
Verlustleistung: 3.55
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Produktpalette: Standard 62mm C
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 800
Betriebstemperatur, max.: 125
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



