FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 98874.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies
Description: HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 825A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-IHVB130-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 825 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 2400000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ825R33HE4DBPSA1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FZ825R33HE4DBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 3300V 825A 2400000W Tray |
товару немає в наявності |
||
 |
FZ825R33HE4DBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: HV B SINGLE SWITCH POWER MODULES Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 825A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-IHVB130-3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 825 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2400000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.5 nF @ 25 V |
товару немає в наявності |