FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 3300V 825A AG-IHVB130-3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 825A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: AG-IHVB130-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 825 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V
Power - Max: 2400000 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.5 nF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76278.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ825R33HE4DBPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 3300V 825A AG-IHVB130-3, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Single Switch, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 825A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: AG-IHVB130-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 825 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V, Power - Max: 2400000 W, Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.5 nF @ 25 V.
Інші пропозиції FZ825R33HE4DBPSA1 за ціною від 91242.56 грн до 91242.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FZ825R33HE4DBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 3300V 825A AG-IHVB130-3 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 825A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-IHVB130-3 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 825 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V Power - Max: 2400000 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 93.5 nF @ 25 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FZ825R33HE4DBPSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
IGBT Modules 3300 V, 825 A single switch IGBT module |
товару немає в наявності |
||||||
| FZ825R33HE4DBPSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor,common emitter; IGBT x2 Topology: IGBT x2 Semiconductor structure: common emitter; transistor/transistor Type of semiconductor module: IGBT Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 825A Pulsed collector current: 1.65kA Max. off-state voltage: 3.3kV Case: AG-IHVB130 |
товару немає в наявності |