FZ900R12KP4HOSA1 INFINEON
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötfahne
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 900A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Einfach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9241.79 грн |
| 5+ | 8648.09 грн |
| 10+ | 8053.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ900R12KP4HOSA1 INFINEON
Description: INFINEON - FZ900R12KP4HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, 900 A, 2.05 V, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.05V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötfahne, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Dauerkollektorstrom: 900A, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FZ900R12KP4HOSA1 за ціною від 9468.36 грн до 9468.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZ900R12KP4HOSA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 900 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FZ900R12KP4HOSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V
Description: IGBT MODULE 1200V 900A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 900A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 56 nF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9468.36 грн |