FZT591TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 18.97 грн |
| 2000+ | 16.80 грн |
| 3000+ | 16.05 грн |
| 5000+ | 14.27 грн |
| 7000+ | 13.80 грн |
| 10000+ | 13.54 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
1000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT591TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FZT591TA за ціною від 16.16 грн до 74.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FZT591TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 38379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FZT591TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FZT591TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 59 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
FZT591TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FZT591TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 20.17 грн |
| FZT591TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 20.69 грн |
| FZT591TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 38379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.08 грн |
| 10+ | 36.77 грн |
| 100+ | 25.21 грн |
| 500+ | 18.75 грн |
| FZT591TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.57 грн |
| 10+ | 46.68 грн |
| 100+ | 27.50 грн |
| 500+ | 22.60 грн |
| 1000+ | 18.36 грн |
| 2000+ | 16.97 грн |
| 5000+ | 16.16 грн |
| FZT591TA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT591TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT591TA |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)