FZT591TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 19.06 грн |
| 2000+ | 16.88 грн |
| 3000+ | 16.13 грн |
| 5000+ | 14.34 грн |
| 7000+ | 13.86 грн |
| 10000+ | 13.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT591TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FZT591TA за ціною від 18.84 грн до 57.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FZT591TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 2 W |
на замовлення 38379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FZT591TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FZT591TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FZT591TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 59 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FZT591TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| FZT591TA | ZETEX |
SOT-223 |
на замовлення 18800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 20.04 грн |
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 59+ | 20.56 грн |
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 60V 1A SOT223-3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 2 W
на замовлення 38379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.34 грн |
| 10+ | 36.94 грн |
| 100+ | 25.33 грн |
| 500+ | 18.84 грн |
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT591TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT591TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



