FZT649

FZT649 ON Semiconductor


fzt649-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FZT649 ON Semiconductor

Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 240MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FZT649 за ціною від 16.11 грн до 74.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FZT649 FZT649 Виробник : ON Semiconductor fzt649cn-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : ON Semiconductor fzt649-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : ON Semiconductor fzt649-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1542+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 1542
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : DIODES INC. 2239713.pdf Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : ON Semiconductor fzt649-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
225+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 225
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : onsemi / Fairchild FZT649_D-1810460.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
на замовлення 11452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.97 грн
10+51.19 грн
100+29.06 грн
500+22.44 грн
1000+20.30 грн
2000+18.02 грн
4000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : DIODES INC. 2239713.pdf Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+70.15 грн
19+44.65 грн
100+30.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : onsemi fzt649-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.81 грн
10+45.06 грн
100+29.38 грн
500+21.27 грн
1000+19.24 грн
2000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649
Код товару: 130252
Додати до обраних Обраний товар

fzt649-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 Виробник : onsemi fzt649-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.