Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > FZT649

FZT649

fzt649-d.pdf
Код товару: 130252
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FZT649 за ціною від 17.06 грн до 72.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FZT649 FZT649 onsemi fzt649-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.88 грн
100+28.61 грн
500+20.71 грн
1000+18.73 грн
2000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 DIODES INC. 2239713.pdf Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 onsemi / Fairchild FZT649_D-1810460.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
на замовлення 11452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649 DIODES INC. 2239713.pdf Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 fzt649-d.pdf
FZT649
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Power - Max: 2 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.84 грн
10+43.88 грн
100+28.61 грн
500+20.71 грн
1000+18.73 грн
2000+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 2239713.pdf
FZT649
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 FZT649_D-1810460.pdf
FZT649
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
на замовлення 11452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FZT649 2239713.pdf
FZT649
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.