Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FZT649 за ціною від 13.53 грн до 79.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZT649 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation |
на замовлення 1667 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FZT649 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FZT649 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 240MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 271+ | 52.59 грн |
| 388+ | 36.75 грн |
| 503+ | 28.34 грн |
| 1000+ | 24.68 грн |
| 2000+ | 20.82 грн |
| 4000+ | 17.86 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 25V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.28 грн |
| 10+ | 43.97 грн |
| 100+ | 28.69 грн |
| 500+ | 20.76 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 77.16 грн |
| 15+ | 52.59 грн |
| 100+ | 36.75 грн |
| 500+ | 27.33 грн |
| 1000+ | 22.85 грн |
| 2000+ | 19.99 грн |
| 4000+ | 17.86 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 78.20 грн |
| 15+ | 53.57 грн |
| 100+ | 37.57 грн |
| 500+ | 27.99 грн |
| 1000+ | 23.41 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 183+ | 78.20 грн |
| 266+ | 53.57 грн |
| 379+ | 37.57 грн |
| 500+ | 27.99 грн |
| 1000+ | 23.41 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor Low Saturation
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.26 грн |
| 10+ | 48.78 грн |
| 100+ | 27.72 грн |
| 500+ | 21.35 грн |
| 1000+ | 19.53 грн |
| 2000+ | 17.33 грн |
| 4000+ | 13.53 грн |
| FZT649 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT649 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: DIODES INC. - FZT649 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 240MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






