FZT651TC Diodes Zetex
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.28 грн |
| 8000+ | 12.96 грн |
| 12000+ | 12.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT651TC Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - FZT651TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 175MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FZT651TC за ціною від 13.44 грн до 86.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT651TC | Виробник : Diodes Inc |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 28000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT651TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT651TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 980000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT651TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 976000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT651TC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT651TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT651TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 175MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 982926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT651TC | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT651TC - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 175MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT651TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN Medium Power |
на замовлення 6343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT651TC | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FZT651TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Frequency: 175MHz |
товару немає в наявності |