FZT751QTA Diodes Inc
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 10.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT751QTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - FZT751QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 140MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FZT751QTA за ціною від 9.99 грн до 70.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT751QTA | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FZT751QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FZT751QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT751QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 55993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FZT751QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Pwr Mid Perf Transistor |
на замовлення 10519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT751QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FZT751QTA Код товару: 170252
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FZT751QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |