Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції FZT755TA за ціною від 24.31 грн до 138.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FZT755TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
FZT755TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FZT755TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage |
на замовлення 1256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FZT755TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
FZT755TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FZT755TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 582+ | 24.31 грн |
| FZT755TA |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 138.33 грн |
| 10+ | 87.42 грн |
| 100+ | 57.97 грн |
| 500+ | 43.69 грн |
| FZT755TA |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
Bipolar Transistors - BJT PNP High Voltage
на замовлення 1256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FZT755TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FZT755TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - FZT755TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




