FZT851QTA

FZT851QTA Diodes Zetex


fzt851.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 311000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FZT851QTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FZT851QTA за ціною від 34.14 грн до 156.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : Diodes Incorporated FZT851.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+44.68 грн
2000+40.50 грн
5000+38.57 грн
10000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009865618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.51 грн
500+49.72 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : Diodes Incorporated FZT851.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 104058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.61 грн
10+80.11 грн
100+62.30 грн
500+49.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : Diodes Incorporated FZT851.pdf Bipolar Transistors - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
на замовлення 1590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.90 грн
10+93.09 грн
100+54.45 грн
500+43.22 грн
1000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0009865618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.77 грн
10+100.23 грн
100+67.51 грн
500+49.72 грн
1000+42.88 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Виробник : Diodes Inc fzt851.pdf Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.