FZT851QTA Diodes Zetex
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 40.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT851QTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 6A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FZT851QTA за ціною від 34.12 грн до 152.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT851QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 104000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FZT851QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FZT851QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 104058 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FZT851QTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FZT851QTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 6A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 130MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FZT851QTA | Виробник : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
FZT851QTA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 60V 6A 3000mW Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FZT851QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3W; SOT223; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 20A Current gain: 25...300 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| FZT851QTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 6A; 3W; SOT223; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 6A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 130MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 20A Current gain: 25...300 |
товару немає в наявності |