Продукція > DIODES INC. > FZT851QTA
FZT851QTA

FZT851QTA DIODES INC.

DIOD-S-A0009865618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.73 грн
500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FZT851QTA DIODES INC.

Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 6A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FZT851QTA за ціною від 34.53 грн до 150.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FZT851QTA FZT851QTA Diodes Incorporated FZT851.pdf Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.96 грн
10+79.08 грн
100+53.33 грн
500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA Diodes Incorporated FZT851.pdf Bipolar Transistors - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.20 грн
10+85.73 грн
100+50.21 грн
500+39.80 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851QTA DIODES INC. DIOD-S-A0009865618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.15 грн
10+95.99 грн
100+64.73 грн
500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851.pdf
FZT851QTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 60V 6A SOT-223-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 375mV @ 300mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.96 грн
10+79.08 грн
100+53.33 грн
500+39.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA FZT851.pdf
FZT851QTA
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 400V NPN Med PWR 100mA 200mV 20A
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.20 грн
10+85.73 грн
100+50.21 грн
500+39.80 грн
1000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FZT851QTA DIOD-S-A0009865618-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FZT851QTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FZT851QTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 6 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 6A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+150.15 грн
10+95.99 грн
100+64.73 грн
500+47.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.