FZT855TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 150V 5A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: SOT-223-3
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 3 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 30.22 грн |
| 2000+ | 26.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT855TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 5A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 90MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FZT855TA за ціною від 25.52 грн до 122.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT855TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT855TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT855TA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 5A; 3W; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Mounting: SMD Quantity in set/package: 1000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 90MHz |
на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 150V 5A SOT-223-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 355mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: SOT-223-3 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 3 W |
на замовлення 2226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - FZT855TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 180 V, 5 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 5A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 180V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 90MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 1373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FZT855TA | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Current |
на замовлення 3779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FZT855TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
NPN 150V 5A 3W 90MHz FZT855TA Diodes TFZT855 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FZT855TA | Виробник : DIODES/ZETEX |
NPN 150V 5A 3W 90MHz FZT855TA Diodes TFZT855 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FZT855TA Код товару: 211595
Додати до обраних
Обраний товар
|
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
FZT855TA | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 150V 5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FZT855TA | Виробник : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |