FZT869TA Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 28.18 грн |
| 2000+ | 24.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZT869TA Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - FZT869TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 25 V, 7 A, 3 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 7A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FZT869TA за ціною від 27.98 грн до 94.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FZT869TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FZT869TA | Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FZT869TA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3 Power - Max: 3 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Current - Collector (Ic) (Max): 7 A Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
FZT869TA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat |
на замовлення 4703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FZT869TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 40.17 грн |
| FZT869TA |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 40.49 грн |
| FZT869TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS NPN 25V 7A SOT-223-3
Power - Max: 3 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Current - Collector (Ic) (Max): 7 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 6.5A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.54 грн |
| 10+ | 57.46 грн |
| 100+ | 38.12 грн |
| 500+ | 27.98 грн |
| FZT869TA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat
Bipolar Transistors - BJT NPN High Ct Low Sat
на замовлення 4703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)