Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G01N20LE
G01N20LE

G01N20LE Goford Semiconductor

G01N20LE.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G01N20LE Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH ESD 200V 1.7A SOT-23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції G01N20LE

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G01N20LE G01N20LE GOFORD SEMICONDUCTOR G01N20LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 1.7A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G01N20LE G01N20LE.pdf
G01N20LE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 200V; 1.7A; 1.5W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.7A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.