Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G020N03D5
G020N03D5

G020N03D5 Goford Semiconductor

G020N03D5.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.98 грн
10+48.25 грн
100+31.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G020N03D5 Goford Semiconductor

Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції G020N03D5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G020N03D5 G020N03D5 Виробник : Goford Semiconductor G020N03D5.pdf Description: MOSFET,N-CH,30V,140A,83W,DFN5*6-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5497 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.