G02P06

G02P06 Goford Semiconductor


GOFROD-G02P06.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.94 грн
6000+ 5.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G02P06 Goford Semiconductor

P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.

Інші пропозиції G02P06 за ціною від 2.35 грн до 26.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G02P06 G02P06 Виробник : Goford Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+26.59 грн
16+ 18.34 грн
100+ 9.26 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 11
G02P06 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFROD-G02P06.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4110+2.83 грн
15000+ 2.62 грн
30000+ 2.35 грн
Мінімальне замовлення: 4110