Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G02P06
G02P06

G02P06 Goford Semiconductor

G02P06.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.74 грн
21+14.74 грн
100+9.23 грн
500+6.42 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G02P06 Goford Semiconductor

Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; 1.5W; SOT23, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -1.6A, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 11.3nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench, Power dissipation: 1.5W.

Інші пропозиції G02P06 за ціною від 3.01 грн до 55.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G02P06 G02P06 GOFORD SEMICONDUCTOR G02P06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.5W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.24 грн
12+36.90 грн
25+19.79 грн
100+8.58 грн
500+5.13 грн
1000+4.43 грн
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 GOFORD Semiconductor G02P06.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06.pdf
G02P06
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -1.6A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -1.6A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 11.3nC
Kind of channel: enhancement
Technology: Trench
Power dissipation: 1.5W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+55.24 грн
12+36.90 грн
25+19.79 грн
100+8.58 грн
500+5.13 грн
1000+4.43 грн
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G02P06 G02P06.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3847+3.67 грн
15000+3.39 грн
30000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 3847 шт
В кошику  од. на суму  грн.