G02P06 Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 6.64 грн |
| 6000+ | 6.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G02P06 Goford Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
Інші пропозиції G02P06 за ціною від 2.60 грн до 30.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G02P06 | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 30 V |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| G02P06 | Виробник : GOFORD Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|