G030N06T Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.35 грн |
| 50+ | 102.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G030N06T Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 223A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 223A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 101 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11999 pF @ 30 V.
Інші пропозиції G030N06T за ціною від 62.48 грн до 62.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G030N06T | Виробник : GOFORD Semiconductor |
G030N06T |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|