Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G040P04M
G040P04M

G040P04M Goford Semiconductor

GOFORD-G040P04M.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ -20 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+53.81 грн
8000+ 49.83 грн
16000+ 47.85 грн
32000+ 40.4 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G040P04M Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 40V 180A TO-263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ -15A,- 10V, Power Dissipation (Max): 178W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ -20 V.

Інші пропозиції G040P04M за ціною від 52.29 грн до 126.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G040P04M G040P04M Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+126.78 грн
10+ 101.76 грн
100+ 80.99 грн
500+ 64.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
G040P04M Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G040P04M.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 49600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+62.95 грн
15200+ 58.13 грн
30400+ 52.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
G040P04M G040P04M Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G040P04M.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 222A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 312W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 206 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14983 pF @ 20 V
товар відсутній