Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G050P03D5

G050P03D5 Goford Semiconductor

Name: G050P03D5
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 64983033-3
Price: 125950.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): 20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5000+	25.19 грн

Мінімальне замовлення: 5000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G050P03D5 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): 20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V, Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції G050P03D5

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	G050P03D5	Виробник : Goford Semiconductor	Description: MOSFET P-CH 30V 85A 100W 4M(MAX) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): 20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 4.5V Supplier Device Package: 8-DFN (4.9x5.75) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.