Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G05N06S2
G05N06S2

G05N06S2 Goford Semiconductor

G05N06S2.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.84 грн
10+39.55 грн
100+25.67 грн
500+18.47 грн
1000+16.66 грн
2000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G05N06S2 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції G05N06S2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G05N06S2 G05N06S2 Goford Semiconductor G05N06S2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 GOFORD SEMICONDUCTOR G05N06S2.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
G05N06S2
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1374pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G05N06S2 G05N06S2.pdf
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 60V; 5A; 3.1W; SOP8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 5A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.