G05P06L Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<120M@-10V,RD(MAX)<1
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1376 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.43 грн |
| 13+ | 23.45 грн |
| 100+ | 14.91 грн |
| 500+ | 10.52 грн |
| 1000+ | 9.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G05P06L Goford Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
Інші пропозиції G05P06L за ціною від 7.34 грн до 7.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G05P06L | GOFORD Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G05P06L |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.90 грн |
| 15000+ | 7.34 грн |