G06N10 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V

на замовлення 2500 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	11.07 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G06N10 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G06N10 за ціною від 11.19 грн до 32.63 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G06N10	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V	на замовлення 2102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 10+ 32.63 грн 12+ 27.08 грн 100+ 18.80 грн 500+ 13.77 грн 1000+ 11.19 грн Мінімальне замовлення: 10 купити В кошику  од. на суму  грн.