G06NP06S2 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active

на замовлення 8000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4000+	22.69 грн

Мінімальне замовлення: 4000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G06NP06S2 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G06NP06S2 за ціною від 20.5 грн до 59.22 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G06NP06S2	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N/P60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Tc), 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V, 45mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active	на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 5+ 59.22 грн 10+  49.72 грн 100+  38.12 грн 500+  28.28 грн 1000+  22.62 грн 2000+  20.5 грн Мінімальне замовлення: 5 купити