G06P01E Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: P-Channel
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G06P01E Goford Semiconductor
Description: P12V,RD(MAX).
Інші пропозиції G06P01E за ціною від 6.36 грн до 27.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G06P01E | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P12V,RD(MAX)<28M@-4.5V,RD(MAX)<4 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1087 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.8W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|