G080N10T Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 198.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G080N10T Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO-220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13912 pF @ 50 V.
Інші пропозиції G080N10T за ціною від 66.49 грн до 66.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G080N10T | Виробник : GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| G080N10T | Виробник : GOFORD SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 140A; 236W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 236W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of channel: enhancement Technology: Trench |
товару немає в наявності |