G085P02TS Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 16.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G085P02TS Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX).
Інші пропозиції G085P02TS за ціною від 16.34 грн до 47.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G085P02TS | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-TSSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|