G085P02TS Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 15.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G085P02TS Goford Semiconductor
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX).
Інші пропозиції G085P02TS за ціною від 14.97 грн до 43.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G085P02TS | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P-20V,-8.2A,RD(MAX)<8.5M@-4.5V,V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.05W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1255 pF @ 10 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|