G09P02L Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V
на замовлення 5505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 34.14 грн |
| 14+ | 22.02 грн |
| 100+ | 14.88 грн |
| 500+ | 10.89 грн |
| 1000+ | 9.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G09P02L Goford Semiconductor
Description: P20V,RD(MAX).
Інші пропозиції G09P02L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G09P02L | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P20V,RD(MAX)<23M@-4.5V,RD(MAX)<3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2196 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |