G1003A Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.49 грн |
| 15000+ | 5.81 грн |
| 30000+ | 5.21 грн |
| 51000+ | 4.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G1003A Goford Semiconductor
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L.
Інші пропозиції G1003A за ціною від 6.59 грн до 37.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G1003A | Goford Semiconductor |
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) |
на замовлення 182322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G1003A | GOFORD Semiconductor |
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G1003A |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
на замовлення 182322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.89 грн |
| 11+ | 29.71 грн |
| 100+ | 20.21 грн |
| 500+ | 14.22 грн |
| 1000+ | 10.67 грн |
| G1003A |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.90 грн |
| 15000+ | 7.34 грн |
| 30000+ | 6.59 грн |