G1003A Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V

на замовлення 180000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	6.86 грн
15000+	6.13 грн
30000+	5.50 грн
51000+	4.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G1003A Goford Semiconductor

Інші пропозиції G1003A за ціною від 5.71 грн до 40.00 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G1003A	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V	на замовлення 182322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 9+ 40.00 грн 11+ 31.36 грн 100+ 21.33 грн 500+ 15.01 грн 1000+ 11.26 грн Мінімальне замовлення: 9 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G1003A	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-CH 100V 3A 210mOhmMAX at 10V 240mOhmMAX at 4.5V SOT-23-3L	на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 3000+ 6.85 грн 15000+ 6.36 грн 30000+ 5.71 грн Мінімальне замовлення: 3000 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G1003A	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N100V,RD(MAX)<210M@10V,RD(MAX)<2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 25 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.