G1006LE Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V

на замовлення 6000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.53 грн
6000+	8.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G1006LE Goford Semiconductor

Інші пропозиції G1006LE за ціною від 5.54 грн до 35.10 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G1006LE	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N100V,RD(MAX)<150M@10V,RD(MAX)<1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 10V FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 50 V	на замовлення 7277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 10+ 35.10 грн 12+ 26.41 грн 100+ 15.84 грн 500+ 13.76 грн 1000+ 9.36 грн Мінімальне замовлення: 10 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G1006LE	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-Channel Trench MOSFET	на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 3000+ 6.69 грн 15000+ 6.20 грн 30000+ 5.54 грн Мінімальне замовлення: 3000 купити В кошику  од. на суму  грн.