G10N03S Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.45 грн |
| 16000+ | 5.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G10N03S Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.
Інші пропозиції G10N03S за ціною від 9.26 грн до 46.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G10N03S | Goford Semiconductor |
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M |
на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| G10N03S | GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| G10N03S | GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G10N03S |
![]() |
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
Description: N30V,RD(MAX)<12M@10V,RD(MAX)<16M
на замовлення 3495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.60 грн |
| 11+ | 27.82 грн |
| 100+ | 17.82 грн |
| 500+ | 12.68 грн |
| 1000+ | 11.37 грн |
| 2000+ | 10.27 грн |
| G10N03S |
![]() |
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.26 грн |
| G10N03S |
![]() |
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.26 грн |



