G10N03S

G10N03S Goford Semiconductor


GOFORD-G10N03S.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G10N03S Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 6A, 10V, FET Feature: Standard, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції G10N03S за ціною від 7.64 грн до 7.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G10N03S Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G10N03S.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000