G10P03 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.48 грн |
| 11+ | 29.48 грн |
| 100+ | 18.94 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 12.12 грн |
| 2000+ | 10.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G10P03 Goford Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET.
Інші пропозиції G10P03 за ціною від 10.07 грн до 10.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G10P03 | GOFORD Semiconductor |
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G10P03 |
![]() |
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 10.07 грн |


