G10P03 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5000+	7.22 грн

Мінімальне замовлення: 5000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G10P03 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G10P03 за ціною від 11.68 грн до 36.83 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G10P03	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V	на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 8+ 36.83 грн 10+  30.11 грн 100+  22.49 грн 500+  16.58 грн 1000+  12.81 грн 2000+  11.68 грн Мінімальне замовлення: 8 купити
	G10P03	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 15 V	товар відсутній	купити