Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G10P03
G10P03

G10P03 Goford Semiconductor

G10P03.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G10P03 Goford Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 30V 10A DFN3*3-8L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 10A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V.

Інші пропозиції G10P03 за ціною від 8.64 грн до 59.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G10P03 G10P03 Виробник : Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
на замовлення 4127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.59 грн
10+35.95 грн
100+23.19 грн
500+16.59 грн
1000+14.92 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 Виробник : GOFORD Semiconductor G10P03.pdf P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
G10P03 G10P03 Виробник : Goford Semiconductor G10P03.pdf Description: P30V,RD(MAX)<26M@-4.5V,RD(MAX)<3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Power Dissipation (Max): 21.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2067 pF @ 15 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 10A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.