G110N06K Goford Semiconductor


G110N06K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.08 грн
5000+29.61 грн
7500+28.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G110N06K Goford Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 110A; 160W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 110A, Power dissipation: 160W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 122nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.

Інші пропозиції G110N06K за ціною від 35.92 грн до 120.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G110N06K G110N06K Goford Semiconductor G110N06K.pdf Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.74 грн
100+49.31 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K GOFORD Semiconductor G110N06K.pdf N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5538 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.71 грн
10+73.74 грн
100+49.31 грн
500+36.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G110N06K G110N06K.pdf
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-CH,60V,110A,RD(max) Less Than 6.4mOhm at 10V,RD(max) Less Than 8.4mOhm at 4.5V,VTH 1.0V to 2.5V, TO-252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.