G120P03S2

G120P03S2 Goford Semiconductor


GOFORD-G120P03S2.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+19.20 грн
16000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G120P03S2 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 30V 16A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1.4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP, Part Status: Active, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Інші пропозиції G120P03S2 за ціною від 21.26 грн до 22.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G120P03S2 G120P03S2 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G120P03S2.pdf P-CH,-30V,-16A,RD(max) Less Than 14mOhm at -10V,RD(max) Less Than 18mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V,SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
G120P03S2 G120P03S2 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G120P03S2.pdf Description: MOSFET 30V 16A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2835pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.