Технічний опис G120P06M Goford Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO263, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -120A, Power dissipation: 277W, Case: TO263, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Інші пропозиції G120P06M за ціною від 56.35 грн до 56.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G120P06M | GOFORD Semiconductor |
 P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G120P06M |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 56.35 грн |