Технічний опис G120P06T Goford Semiconductor
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -120A; 277W; TO220, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -120A, Power dissipation: 277W, Case: TO220, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: THT, Gate charge: 230nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Інші пропозиції G120P06T за ціною від 43.18 грн до 43.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G120P06T | GOFORD Semiconductor |
 P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G120P06T |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
P-CH,-60V,-120A,RD(max) Less Than 8.5mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 43.18 грн |