G12P04K Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 10.80 грн |
| 15000+ | 9.61 грн |
| 30000+ | 8.59 грн |
| 50000+ | 7.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G12P04K Goford Semiconductor
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252.
Інші пропозиції G12P04K за ціною від 8.91 грн до 45.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G12P04K | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V |
на замовлення 104387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| G12P04K | Виробник : GOFORD Semiconductor |
P-CH,-40V,-11A,RD(max) Less Than 35mOhm at -10V,RD(max) Less Than 45mOhm at -4.5V,VTH -1.0V to -2.5V, TO-252 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
G12P04K | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |