G12P04K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active

на замовлення 100000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Підписка на надходження

Кількість	Ціна
2500+	10.35 грн
15000+	9.21 грн
30000+	8.23 грн
50000+	7.16 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G12P04K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G12P04K за ціною від 15.32 грн до 43.91 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G12P04K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V	на замовлення 104387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Кількість Ціна 8+ 43.91 грн 10+ 36.02 грн 100+ 26.90 грн 500+ 19.83 грн 1000+ 15.32 грн Мінімальне замовлення: 8 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G12P04K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<35M@-10V,RD(MAX)<45 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V	товару немає в наявності Підписка на надходження	купити В кошику  од. на суму  грн.