G12P10K Goford Semiconductor
Виробник: Goford SemiconductorDescription: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 51.64 грн |
| 10+ | 43.43 грн |
| 100+ | 30.08 грн |
| 500+ | 23.59 грн |
| 1000+ | 20.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G12P10K Goford Semiconductor
Description: P100V,RD(MAX).
Інші пропозиції G12P10K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
G12P10K | Виробник : Goford Semiconductor |
Description: P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)< Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 57W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |