G12P10TE Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.49 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G12P10TE Goford Semiconductor
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -100V; -12A; 44.6W; TO220, Case: TO220, Mounting: THT, Power dissipation: 44.6W, Gate charge: 33nC, Polarisation: unipolar, Version: ESD, Technology: Trench, Drain current: -12A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: -100V, Type of transistor: P-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V.
Інші пропозиції G12P10TE за ціною від 24.14 грн до 24.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G12P10TE | GOFORD Semiconductor |
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G12P10TE |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
P-CH,-100V,-12A,RD(max) Less Than 200mOhm at -10V,VTH -1.0V to -3.0V, TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 586+ | 24.14 грн |