G130N06M Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V

на замовлення 780 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	101.46 грн
10+	61.62 грн
100+	40.90 грн

Мінімальне замовлення: 4

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G130N06M Goford Semiconductor

Інші пропозиції G130N06M за ціною від 20.52 грн до 20.52 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G130N06M	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-CH,60V,90A,RD(max) Less Than 12mOhm at 10V,RD(max) Less Than 14mOhm at 4.5V,VTH 1V to 2.4V, TO-263	на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 800+ 20.52 грн Мінімальне замовлення: 800 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G130N06M	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N60V, 90A,RD<12M@10V,VTH1.0V~2.4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2867 pF @ 30 V	товару немає в наявності	купити В кошику  од. на суму  грн.