G15N10C Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1167 pF @ 50 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.76 грн |
| 10+ | 35.59 грн |
| 100+ | 23.05 грн |
| 500+ | 16.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G15N10C Goford Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 100V; 22A; 55W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 22A, Power dissipation: 55W, Case: TO252, Gate-source voltage: ±20V, Mounting: SMD, Gate charge: 22nC, Kind of channel: enhancement, Technology: Trench.
Інші пропозиції G15N10C за ціною від 10.91 грн до 13.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| G15N10C | GOFORD Semiconductor |
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G15N10C |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 13.17 грн |
| 15000+ | 12.14 грн |
| 30000+ | 10.91 грн |