G15N10C

G15N10C Goford Semiconductor


G15N10C.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+9.66 грн
15000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G15N10C Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 22A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V.

Інші пропозиції G15N10C за ціною від 9.41 грн до 11.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G15N10C Виробник : GOFORD Semiconductor G15N10C.pdf N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.36 грн
15000+10.47 грн
30000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.