G15P04K Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V

на замовлення 5000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2500+	10.57 грн

Мінімальне замовлення: 2500

купити

В кошику  од. на суму  грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G15P04K Goford Semiconductor

Інші пропозиції G15P04K за ціною від 16.83 грн до 50.03 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна
	G15P04K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V	на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 2500+ 16.83 грн Мінімальне замовлення: 2500 купити В кошику  од. на суму  грн.
	G15P04K	Виробник : Goford Semiconductor	Description: P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 20 V	на замовлення 9568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна 7+ 50.03 грн 10+ 41.10 грн 100+ 28.56 грн 500+ 20.93 грн 1000+ 17.01 грн Мінімальне замовлення: 7 купити В кошику  од. на суму  грн.