G160N04S2 Goford Semiconductor
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 8.95 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G160N04S2 Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.
Інші пропозиції G160N04S2 за ціною від 11.31 грн до 55.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G160N04S2 | Goford Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP |
на замовлення 3939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| G160N04S2 | GOFORD Semiconductor |
G160N04S2 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G160N04S2 |
|
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Description: MOSFET 2N-CH 40V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 989pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.65 грн |
| 10+ | 33.14 грн |
| 50+ | 24.29 грн |
| 100+ | 20.08 грн |
| 500+ | 15.31 грн |
| G160N04S2 |
|
Виробник: GOFORD Semiconductor
G160N04S2
G160N04S2
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.31 грн |