G170P02D32

G170P02D32 Goford Semiconductor


G170P02D32.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
на замовлення 4898 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.93 грн
10+32.80 грн
100+22.43 грн
500+16.59 грн
1000+15.12 грн
2000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G170P02D32 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 15W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual.

Інші пропозиції G170P02D32

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G170P02D32 G170P02D32 Виробник : Goford Semiconductor G170P02D32.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 20A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2193pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (3.15x3.05) Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.