G180C06Y

G180C06Y Goford Semiconductor


G180C06Y.pdf
Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N+P-CH 60V 50A/-60A TO-25
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ -30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ -10A, -10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ -4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G180C06Y Goford Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4, Supplier Device Package: TO-252-4, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції G180C06Y за ціною від 16.93 грн до 51.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G180C06Y G180C06Y Виробник : Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.75 грн
10+33.37 грн
100+22.85 грн
500+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y Виробник : GOFORD Semiconductor G180C06Y.pdf G180C06Y
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G180C06Y G180C06Y Виробник : Goford Semiconductor G180C06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 50A TO252-4
Supplier Device Package: TO-252-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 4.5V, 62nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 20A, 10V, 23mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2429pF @ 30V, 4471pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), 60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 69W (Tc), 115W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.