Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G18N20T
G18N20T

G18N20T Goford Semiconductor

G18N20T.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G18N20T Goford Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190m(m, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 110W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V.

Інші пропозиції G18N20T за ціною від 24.40 грн до 104.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G18N20T G18N20T Виробник : Goford Semiconductor G18N20T.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A 110W 190M(M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 100 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.23 грн
10+63.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G18N20T Виробник : GOFORD Semiconductor G18N20T.pdf G18N20T
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+24.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.