Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G18NP06Y
G18NP06Y

G18NP06Y Goford Semiconductor

G18NP06Y.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.40 грн
10+49.28 грн
100+34.09 грн
500+25.56 грн
1000+23.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G18NP06Y Goford Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Common Drain, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-4.

Інші пропозиції G18NP06Y за ціною від 18.63 грн до 20.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G18NP06Y Виробник : Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y Виробник : GOFORD Semiconductor G18NP06Y.pdf N-P-CH,60V/-60V,18A/-18A,RD(max) Less Than 35mOhm at 10V/45mOhm at -10V,VTH 1.0V to 2.5V/-1.5V-3.5V, SOP-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
G18NP06Y G18NP06Y Виробник : Goford Semiconductor G18NP06Y.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 45W (Tc), 50W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 30V, 2610pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.